半導體超純水在半導體生產(chǎn)中主要用于清洗硅片。少量水用于配制藥劑、硅片氧化的蒸汽源、某些設備的冷卻水、電鍍?nèi)芤旱呐渲啤．a(chǎn)品的質(zhì)量與產(chǎn)量密切相關(guān)。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會降低PN結(jié)的耐壓力，III族元素 (B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化，V族素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化。細菌高溫炭化水中的磷(約為灰分的20%~50%)會使p型硅片局部變?yōu)镹型硅片，導致器件性能下降。水中的顆粒，包括細菌，如果附著在硅片表面，會導致短路或性能惡化。可見，超純水在半導體行業(yè)的必要性。
 

　　隨著半導體工業(yè)的不斷發(fā)展，對清潔水的電導率、離子含量、TOC、do和顆粒物的要求越來越嚴格。由于超純水在許多指標上對半導體的要求很高，因此半導體行業(yè)的超純水與其他行業(yè)的用水要求不同。半導體行業(yè)對超純水有嚴格的水質(zhì)要求。目前，半導體所用的超純水需要達到的水質(zhì)標準為：我國電子工業(yè)部電子級水質(zhì)技術(shù)標準(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級標準)，我國電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標準，國內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質(zhì)標準等。
 

　　那么，如何產(chǎn)出高質(zhì)量的半導體超純水？
 

　　建議采用“兩級RO+EDI+精混床除鹽水處理工藝”這類的超純水設備，可保證處理后的水電阻和電電阻達到18MΩ.cm以上。除了采用以上工藝外，結(jié)構(gòu)設計也需要相對緊湊，這樣一來占地面積小可為企業(yè)節(jié)省大量建設空間。這種半導體超純水設備出廠前都是需進行壓力測驗的，所以出現(xiàn)故障概率小。還可以配備反滲透預脫鹽技術(shù)，再次從根本上確保了水處理設備的出水質(zhì)量。